求職類型:全職
普通話程度:標準
身份證:5101**************
計算機能力:精通
國籍:中國
身高/體重:173 CM / 65 KG
通信地址:四川省成都市成華區電子科技大學宿舍17棟210室
郵政編碼:610054
基于In2Ge2O7寬禁帶半導體的紫外探測器研究與制備[2011-03/至今]
獨自完成項目前期研究的所以內容。負責材料的生長制備,利用MEMS光刻工藝制作器件結構,完成器件結構與電學性能的測試。
最終完成了光電流暗電流之比為200倍的紫外探測器。
基于AlN的SAW表聲波傳感器的研制[2010-10/2011-03]
負責包括材料生長和器件設計及測試。
完成了AlN材料的生長,熟悉聲表面波器件的原理及特性。
第三代半導體AlGaN/GaN異質結器件特性研究[2010-03/2010-10]
負責利用MBE外延生長AlGaN/GaN異質結,以及開發HEMT,MOSFET器件工藝。
成功完成了AlGaN/GaN異質結的外延生長,制作了HEMT,MOSFET器件,完成了器件性能的測試。
電子科技大學|碩士[2009-09/至今]
專業:微電子學與固體電子學
類別:電子科學與技術類
主要從事在半導體材料和器件上的研究,以及傳感器設計方面的研究。
電子科技大學|本科[2005-09/2009-07]
專業:微電子學與固體電子學
類別:電子科學與技術類
主修課程有:《電路分析基礎》《C語言》《軟件技術基礎》《模擬電路》《信號與系統》《數字邏輯設計及應用》《微機原理》《高頻電路》《半導體物理》《半導體器件物理》《薄膜物理與技術》《微波集成電路》
組織委員[2005-09/2009-07]
負責班級內大大小小的活動策劃及組織,在學校領導和班級同學間起溝通橋梁作用。
學校三等獎學金 [2010-09]
學校二等獎學金 [2009-09]
基于In2Ge2O7寬禁帶半導體的紫外探測器研究與制備[2011-03/至今]
獨自完成項目前期研究的所以內容。負責材料的生長制備,利用MEMS光刻工藝制作器件結構,完成器件結構與電學性能的測試。
最終完成了光電流暗電流之比為200倍的紫外探測器。
基于AlN的SAW表聲波傳感器的研制[2010-10/2011-03]
負責包括材料生長和器件設計及測試。
完成了AlN材料的生長,熟悉聲表面波器件的原理及特性。
第三代半導體AlGaN/GaN異質結器件特性研究[2010-03/2010-10]
負責利用MBE外延生長AlGaN/GaN異質結,以及開發HEMT,MOSFET器件工藝。
成功完成了AlGaN/GaN異質結的外延生長,制作了HEMT,MOSFET器件,完成了器件性能的測試。